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SPA6100半導體參數分析儀

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        SPA6100半導參數表概述儀還具有高準確度、寬側量范圍內、 最快靈活多變、兼容模式強等競爭優勢,護膚品能夠 還不支持DC功率-相端電壓(I-V)、電容(電容器)-相端電壓(C-V)并且高流高壓力下脈寬式I-V特點的自測。        源于輸出實用化的型式設計制作,不錯益處微信用戶給出測驗須要,利索標準配置估測單元實施上升。成品認可上限1200V線電壓、100A大工作直流電、1pA小工作直流電糞便率的估測,直接檢測工具10kHz至1MHz條件內的多頻AC電感估測。        媲美上用半導體材料技術指標公測小軟件,適用交互設計式人工作業或構建探頭臺的自功作業,才能從檢測配置、執行力、畢竟探討到數據報告的管理的整體期間,構建有效率和可按順序的功率器件定量分析;也可與高溫度低箱、控溫方案等配合操作,夠滿足高溫度低公測需要量。

產品特點

●    30μV-1200V,1pA-100A 寬量(liang)程測試能力(li)

●     測(ce)量(liang)精度高,全量(liang)程下可達(da)0.03%

●     內置標準器件測試程序,直接調用測試簡便 

●     自動實(shi)時參數(shu)提(ti)取、 數(shu)據繪圖、分析函數(shu)

●     在CV和IV測(ce)量之間快速切換而(er)無(wu)需(xu)重新布線

●     提供靈活的夾具定制(zhi)方案(an),兼容(rong)性強(qiang)

●     免費提供(gong)上位機軟件及(ji)SCPI指令集


應用(yong)軟件場(chang)地及(ji)試(shi)驗(yan)產品(pin)參數(shu)

1、納米材料:電阻(zu)率、載流(liu)子(zi)遷移率、載流(liu)子(zi)濃度、霍爾電壓

2、柔性材料:拉伸/扭轉/彎折、V-t、I-t、R-t、電阻率、靈(ling)敏度

3、IC芯片:O/S、IIH/IIL、VOH/VOL、I/O Pin IV曲線

4、分立器件:BVDSS/IGSS/IDSS/Vgs(th)/Rdson、Ciss/Coss/Crss、輸出/轉移/CV曲(qu)線等

5、光電探測器:暗電流(liu)ID、結電容(rong)Ct、反(fan)向擊穿(chuan)電壓VBR、響(xiang)應度R

6、鈣鈦礦電池:VOC、ISC、Pmax、Vmax、Imax、FF、η、Rs、Rsh

7、LD/LED/OLED:Iop、Popt、VF、Ith、VR、IR、LIV/IVL曲線(xian)

8、傳感器/憶阻器:V-t、I-t、R-t、直流/脈沖/交流IV測(ce)試


蘇州特色競爭優勢

1、模塊化配置:可靈活(huo)配置(zhi)多種測(ce)量單元,預留升級空間,方便后(hou)期升級

2、圖形化界面:內置常用器件模板,可直接(jie)調用,并且支持(chi)輸(shu)出三種模式測(ce)試報告(gao)

3、自動化測試:內嵌(qian)低漏電矩陣開關,可自動切換(huan)測試電路,實現一鍵測試功能

4、夾具可定制:支持二(er)極管(guan)、三(san)極管(guan)、Si及SiC MOS管(guan)、IGBT等器(qi)件

5、多設備聯動:可與探針臺、溫(wen)控模塊(kuai)等搭(da)配使用,溫(wen)控范圍:室溫(wen)~250℃

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越(yue)來越(yue)快半導(dao)體集成塊的原材料、集成塊配件(jian)制作、為(wei)先進方法的定制開(kai)發驗證(zheng)通過(guo)

1、能夠直流變壓器、電脈沖I-V測試圖片

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2、內嵌式技術單位矩陣轉換開關,提升 測試的效率

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3、可與多生產設備協同運行:晶圓級集成電路芯片能力軟件測試是需要與檢測器臺協同,準確性分析評估會相關常溫各類高高濕等先決條件

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4、三同基準面纜加強小電流大小各種測試表面粗糙度

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圖(tu)案化手機軟件對話(hua)框

密切配合普賽斯自主性研發的技術測量英文平臺,SPA6100可輕松自在進行半導體電子元器件資料,電子元器件的性能指標測量英文。機系統內裝置選用電子元器件模板下載,如二級管, 晶體管,MOSFET。測量英文整個過程中,可會加載,只需簡略布置測量英文性能指標可以。平臺能夠測量英文統計數值展示,并且身材曲線美繪圖。測量英文再次 后,可將統計數值并且身材曲線美導成維持。

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利索可私人訂制化的(de)卡具計劃書(shu)

對市售上差異二級管封裝類的集成電路工藝電子器件企業商品,普賽斯保證芭比娃娃家具車床夾具設計解決辦法方式。車床夾具設計具備有低抗阻、施工簡單、那個種類豐厚等的特點,可 用以二級管、氯化鈉晶體管、場滯后效應氯化鈉晶體管、IGBT、SiC MOS、GaN等單管,模組類企業商品的測試方法儀;也可與探頭臺連入,做到晶圓級處理芯片 測試方法儀。


各種芯片封裝形式的沖壓模(mo)具

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產品選型

低壓證(zheng)書(shu)電(dian)流(liu)I-V源檢測的單(dan)園(yuan)

型號精度最大電壓量程最小電壓量程最小電壓分辨率最大電流量程最小電流量程最小電流分辨率
SPA-S1000.1%30V300mV30μV1A100nA10pA
SPA-S2000.1%100V300mV30μV1A100nA10pA
SPA-S3000.1%300V300mV30μV1A100nA10pA
SPA-S100B0.03%30V300mV30μV3A100nA10pA
SPA-S200B0.03%100V300mV30μV3A100nA10pA
SPA-S300B0.03%300V300mV30μV3A100nA10pA

高壓低壓激(ji)光脈(mo)沖I-V源衡量單(dan)位

型號精度最大電壓量程最小電壓量程最小電壓分辨率最大電流量程最小電流量程最小電流分辨率最小脈沖寬度
SPA-P1000.1%30V300mV30μV1A(直流)/10A(脈沖)100nA10pA200μs
SPA-P2000.1%100V300mV30μV1A(直流)/10A(脈沖)100nA10pA200μs
SPA-P3000.1%300V300mV30μV1A(直流)/10A(脈沖)100nA10pA200μs
SPA-P100B0.03%30V300mV30μV4A(直流電) / 30A(激光脈沖)100nA1pA200μs
SPA-P200B0.03%100V300mV30μV4A(直流) / 30A(脈沖)100nA1pA200μs
SPA-P300B0.03%300V300mV30μV4A(直流) / 30A(脈沖)100nA1pA200μs

高(gao)壓(ya)變壓(ya)器I-V源在測量(liang)模快

型號精度最大電壓量程最小電壓量程最小電壓分辨率最大電流量程最小電流量程最小電流分辨率
SPA-E1000.1%1200V100V10mV100mA1μA100pA

高流I-V源量測單元

型號精度最大電壓量程最小電壓量程最小電壓分辨率最大電流量程最小電流量程最小電流分辨率最小脈沖寬度
SPA-HCP1000.1%50V300mV30μV30A(直流)/30A(脈沖)100nA10pA80μs
SPA-HCP2000.1%50V300mV30μV30A(直流)/30A(脈沖)100nA10pA80μs
SPA-HCP3000.1%100V300mV30μV30A(直流)/100A(脈沖)100nA10pA80μs

電容器檢測單元式

型號測試頻率測試點數頻率分辨率頻率輸出精度基本精度內部直流偏置信號可測參數與量程
SPA-C10010Hz-1MHz可編程5 位±0.1%±0.5%10mV to 2V (1mV 分辨率) / 100uA-20mA|Z| , R, X   0.001mΩ-99.999MΩ|Y| , G, B   0.1nS-99.999SCs Cp   0.01pF-9.9999F



*之上外形尺寸請諒解創新,恕不另外通告。

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