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●   高電(dian)壓(ya)達3500V(最大(da)擴展至12kV)

●   大電流達6000A(多模塊并聯(lian))

●   nA級漏(lou)電(dian)流μΩ級導通電(dian)阻

●   高精度測量0.1%

●   模塊(kuai)(kuai)化(hua)配置(zhi)，可添加或升級(ji)測(ce)量單(dan)元(yuan)，可給(gei)予(yu)IV、CV、跨導(dao)等(deng)多模塊(kuai)(kuai)的綜上(shang)測(ce)評

●   測(ce)試效率高(gao)，自動切換(huan)、一鍵測(ce)試

●   溫度(du)范(fan)圍廣，支持常溫、高溫測(ce)試

●   兼容多種封裝(zhuang)，根據測(ce)試需(xu)求定制(zhi)夾具

測試項目

●   二極管：反向擊穿電壓VR、反向漏電流IR、正向電壓VF、正向電流IF、電容值Cd、I-V曲線、C-V曲線

●   三極管：V(BR)CEO、V(BR)CBO、V(BR)EBO、ICBO、VCE(sat)、VBE(sat)、IC、IB、Ceb、增益hFE，輸入特性曲線、輸出特性曲線、C-V特性曲線

●   Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaN HEMT：V(BR)DSS/V(BR)CES、IDSS/ICES、VCE(sat)、RDS(on)、VSD/VF、VGS(th)/VGE(th)、IGSS/IGES柵(zha)極內阻Rg、輸(shu)入電(dian)容Ciss/Cies、輸(shu)出電(dian)容Coss/Coes、反向傳輸(shu)電(dian)容Crss/Cres、跨導gfs、輸(shu)出特性曲線(xian)、轉移特性曲線(xian)、C-V特性曲線(xian)

●   光耦(四端口以(yi)下)：IF、VF、V(BR)CEO、VCE(sat)、ICEO、IR、輸入電(dian)(dian)容CT、輸出電(dian)(dian)容CCE、電(dian)(dian)流傳輸比CTR、隔離電(dian)(dian)容CIO

系統優勢

1、IGBT等大功率(lv)器件由于(yu)(yu)其功率(lv)特點極易產生(sheng)大量熱量，施加應(ying)力(li)時間長，溫度迅(xun)速上升，嚴重時會使(shi)器件損壞，且不(bu)符合器件工作特性(xing)。普賽斯高壓(ya)力(li)控制(zhi)模塊保持(chi)的(de)的(de)精力(li)小(xiao)于(yu)(yu)等于(yu)(yu)5ms，在測(ce)試測(ce)試流(liu)程(cheng)中就(jiu)可以減輕待測(ce)物(wu)加電的(de)精力(li)的(de)變燙。

2、各類(lei)高壓下漏電流的檢測(ce)業務能(neng)力無以(yi)倫比，檢測(ce)覆蓋(gai)范圍率更為(wei)(wei)重(zhong)要亞(ya)太(tai)品脾。市(shi)面上絕大(da)(da)多(duo)數器(qi)件(jian)(jian)的規格書顯示，小模(mo)塊在高溫測(ce)試(shi)時(shi)漏電流一般大(da)(da)于5mA，而車規級三相半橋高溫下漏電大(da)(da)于50mA。以(yi)HITACH Spec.No.IGBT-SP-05015 R3規格書為(wei)(wei)例：3300V，125℃測(ce)試(shi)條(tiao)件(jian)(jian)下ICES典型(xing)值14mA，最大(da)(da)40mA。普賽斯靜態(tai)系統高壓模(mo)塊測(ce)試(shi)幾乎(hu)可(ke)以(yi)完美(mei)應對所有(you)類(lei)型(xing)器(qi)件(jian)(jian)的漏電流測(ce)試(shi)需求。

PMST電功率電子元件靜態式的系統各種不同的規格搭配具體型號參考資料：